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檢測(cè)項(xiàng)目

1item03
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無(wú)機(jī)異物分析

無(wú)機(jī)異物分析是指針對(duì)產(chǎn)品表面的無(wú)機(jī)異物,根據(jù)異物的形態(tài)、檢測(cè)深度及檢測(cè)面積等差異而選用特定的儀器,對(duì)其無(wú)機(jī)成分進(jìn)行分析,測(cè)定其中元素成分及含量,進(jìn)而分析組成的一種分析方法。相較與有機(jī)異物,無(wú)機(jī)異物則表
所屬分類
成分分析
產(chǎn)品描述

無(wú)機(jī)異物分析是指針對(duì)產(chǎn)品表面的無(wú)機(jī)異物,根據(jù)異物的形態(tài)、檢測(cè)深度及檢測(cè)面積等差異而選用特定的儀器,對(duì)其無(wú)機(jī)成分進(jìn)行分析,測(cè)定其中元素成分及含量,進(jìn)而分析組成的一種分析方法。相較與有機(jī)異物,無(wú)機(jī)異物則表現(xiàn)出質(zhì)地更硬,色澤更深,且較不透光等特點(diǎn)。無(wú)機(jī)異物的分析手段主要有以下幾種:

 

分析手段典型應(yīng)用分析特點(diǎn)參考標(biāo)準(zhǔn)
掃描電子顯微鏡&X射線能譜SEM/EDS表面微觀形貌觀察;微米級(jí)尺寸量測(cè);微區(qū)成分分析;污染物分析能快速的對(duì)各種試樣的微區(qū)內(nèi)Be~U的大部分元素進(jìn)行定性、定量分析,分析時(shí)間短JY/T 010-1996
GB/T 17359-2012
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的表面微量分析;表面離子成像;深度剖面分析優(yōu)異的摻雜劑和雜質(zhì)檢測(cè)靈敏度可以檢測(cè)到ppm或更低的濃度;深度剖析具有良好的檢測(cè)限制和深度辨析率;小面積分析ASTM E1078-2009
ASTM E1504-2011
ASTM E1829-2009
動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜D-SIMS產(chǎn)品表面微小的異物分析;氧化膜厚度分析;摻雜元素的含量測(cè)定分析區(qū)域小,能分析10nm直徑的異物成分;分析深度淺,可測(cè)量1nm樣品;檢出限高,一般是ppm-ppb級(jí)別ASTM E1078-2009
ASTM E1504-2011
ASTM E1829-2009
俄歇電子能譜AES缺陷分析;顆粒分析;深度剖面分析;薄膜成分分析可以作表面微區(qū)的分析,并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像GB/T 26533-2011
X射線光電子能譜XPS有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料、污點(diǎn)、殘留物的表面分析;表面成分及化學(xué)狀態(tài)信息;深度剖面分析分析層薄,分析元素廣,可以分析樣品表面1-12nm的元素和元素含量GB/T 30704-2014 

案例分析

案件背景:

某客戶產(chǎn)品表面放大觀察后發(fā)現(xiàn)紅色異物,影響產(chǎn)品使用性能。

檢測(cè)手段:

SEM/EDS分析

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn):

JY/T 010-1996    分析型掃描電子顯微鏡方法通則

GB/T 17359-2012  微束分析 能譜法定量分析

分析方法簡(jiǎn)介:

1、通過(guò)顯微鏡放大觀察發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品表面存在大量紅色異物,見(jiàn)下圖:

478721875d204276b11fe09258a64087_a2ee9573-f336-4e59-92dc-0643d507d80d.png

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2、對(duì)該異物樣品進(jìn)行SEM/EDS分析,判定其它無(wú)機(jī)成分。對(duì)樣品進(jìn)行剝金處理后,對(duì)樣品表面鍍Pt30s,放入SEM樣品室中,對(duì)測(cè)試位置進(jìn)行放大觀察,并用EDS進(jìn)行成分分析:

416a3cf0488feba69e8992a655263b44_550b2ec5-3895-44cc-9320-79e7d04b9182.png

SpectrumCOAlKClAuCaCrFeCuTotal
112.7719.381.54/0.4812.242.5330.1311.549.39100.00
226.6615.310.640.410.317.492.2030.5310.116.33100.00

 3、根據(jù)SEM/EDS測(cè)試結(jié)果可知,異物主成分為Cr的氧化物。

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